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型號
規(guī)格書
DRAM類型
容量
架構(gòu)
速率
工作電壓
工作溫度
產(chǎn)品詳情
KLUDG4UHDC-B0E1
UFS3.1
SAMSUNG三星
128G
點擊查看
KHBBC4B03B-MC1JT00
HBM
SAMSUNG/三星
36GB
HBM3E-8.0Gbps
KLUEG8UHGC-B0E1
256G
KHBB84A03B-MC1JT00
24GB
KLUFG8RHHD-B0G1
UFS4.0
512G
KHBAC4A03D-MC1HT00
24Gb
HBM3-6.4Gbps
KHBA84A03D-MC1HT00
16Gb
KHAA84901B-JC17T00
HBM2E-3.6Gbps
KHA884901X-MC13TNX
8Gb
HBM2-2.4Gbps
KHA884901X-MC12TIF
HBM2-2.0Gbps
K3QF3F30BM-AGCF
LPDDR3
16 Gb
x64
1866 Mbps
1.8 / 1.2 / 1.2 V
-25 ~ 85 °C
253 FBGA
EOL
K3UH5H50MM-NGCJ
LPDDR4X
32Gb
3733 Mbps
1.8 / 1.1 / 0.6 V
366FBGA
Mass Production
K4U8E3S4AD-CHCL
8 Gb
x32
4266 Mbps
-40 ~ 105 °C
200FBGA
四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
M391A1K43DB2-CWE
ECC UDIMM
8 GB
1R x 8
3200 Mbps
1.2 V
(1G x 8) x 9
樣品
四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
K4E8E324EB-EGCG
2133 Mbps
178FBGA
批量生產(chǎn)
三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
M474A4G43AB1-CWE
ECC SODIMM
32 GB
2R x 8
(2G x 8) x 18
KLMCG2UCTB-B041T02
eMMC 5.1
64 GB
1.8 / 3.3 V
11.5 x 13 x 0.8 mm
HS400
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