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型號
規(guī)格書
品牌
DRAM類型
容量
架構
速率
工作電壓
工作溫度
產品詳情
H9HCNNNBKMMLHR-NME
LPDDR4X
DRAM LPDDR4X
SK HYNIX/海力士
2GB
3733Mbps
1.8V/1.1V/0.6V
FBGA-200
Mass production
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H9HCNNNBKMALHR-NEE
x16
4266Mbps
-25℃~85℃
K4U6E3S4AB-MGCL
SAMSUNG/三星
16 Gb
x32
4266 Mbps
1.8 / 1.1 / 0.6 V
-25 ~ 85 °C
200 FBGA
Mass Production
K4UBE3D4AM-GHCL
32Gb
-40 ~ 105 °C
200FBGA
四代超低功耗雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
H9HCNNNCRMBLPR-NEE
SK hynix/海力士
4GB
1.8V / 1.1V / 0.6V
432Ball
MP
H9HCNNNCPMMLXR-NEE
200Ball
H9HCNNN4KMMLHR-NME
0.5GB
H9HKNNNFBMAVAR-NEH
8GB
556Ball
H9HKNNNCRMBVAR-NEH
H54G56BYYQX089
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